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EVG6200 NT掩模對準光刻系統

簡(jiǎn)要描述:EVG6200 NT掩模對準光刻系統 特色:EVG ® 6200 NT掩模對準器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:查看pdf文檔
  • 更新時(shí)間:2024-11-09
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量: 3598

詳細介紹

EVG6200 NT掩模對準光刻系統

特色:EVG  6200 NT掩模對準器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。

技術(shù)數據:EVG6200 NT以其自動(dòng)化靈活性和可靠性而著(zhù)稱(chēng),可在小的占位面積上提供先進(jìn)的掩模對準技術(shù),并具有高的產(chǎn)能,先進(jìn)的對準功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,短的掩模和工具更換時(shí)間以及高效的球服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或*安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統有半自動(dòng)或自動(dòng)配置,并配有集成的振動(dòng)隔離功能,可在廣泛的應用中實(shí)現出色的曝光效果,例如薄和厚光刻膠的曝光,深腔和類(lèi)似地形的圖案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半導體)的加工。此外,半自動(dòng)和全自動(dòng)系統配置均支持EVG專(zhuān)有的SmartNIL技術(shù)。

EVG6200 NT掩模對準光刻系統
EVG6200 NT特征:

晶圓/基板尺寸從小到200 mm / 8''

系統設計支持光刻工藝的多功能性

在一次光刻模式下的吞吐量高達180 WPH,在自動(dòng)對準模式下的吞吐量高達140 WPH

易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時(shí)間短

帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補償序列

自動(dòng)原點(diǎn)功能,用于對準鍵的確居中

具有實(shí)時(shí)偏移校正功能的動(dòng)態(tài)對準功能

支持新的UV-LED技術(shù)

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統

自動(dòng)化系統上的手動(dòng)基板裝載功能

可以從半自動(dòng)版本升級到全自動(dòng)版本

小化系統占地面積和設施要求

多用戶(hù)概念(無(wú)限數量的用戶(hù)帳戶(hù)和程序,可分配的訪(fǎng)問(wèn)權限,不同的用戶(hù)界面語(yǔ)言)

先進(jìn)的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性

便捷處理和轉換重組

遠程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版


EVG6200 NT附加功能:

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻(NIL)


EVG6200 NT技術(shù)數據:

曝光源

汞光源/紫外線(xiàn)LED光源

先進(jìn)的對準功能

手動(dòng)對準/原位對準驗證

自動(dòng)對準

動(dòng)態(tài)對準/自動(dòng)邊緣對準

對準偏移校正算法


EVG6200 NT產(chǎn)能:

全自動(dòng):一批生產(chǎn)量:每小時(shí)180片

全自動(dòng):吞吐量對準:每小時(shí)140片晶圓

晶圓直徑(基板尺寸):高達200毫米


對準方式:

上側對準:≤±0.5 µm

底側對準:≤±1,0 µm

紅外校準:≤±2,0 µm /具體取決于基板材料

鍵對準:≤±2,0 µm

NIL對準:≤±3.0 µm

曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補償:全自動(dòng)軟件控制

曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光

系統控制

操作系統:Windows

文件共享和備份解決方案/無(wú)限制 程序和參數

多語(yǔ)言用戶(hù)GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

實(shí)時(shí)遠程訪(fǎng)問(wèn),診斷和故障排除

工業(yè)自動(dòng)化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術(shù):SmartNIL


 

 

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