光刻膠的各種物性參數中，粘度值也是一個(gè)非常重要的參數，它對指導光刻膠的涂膠至為重要，但是我們在閱讀光刻膠的說(shuō)明文檔中往往會(huì )發(fā)現不同廠(chǎng)家使用不同的粘度單位， 比如cP，mPa·S，cst， 這對我們用戶(hù)來(lái)說(shuō)對比不同廠(chǎng)家的光刻膠的粘度性質(zhì)造成了困擾。

光刻膠是一種對光敏感的混合液體，是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料，屬于半導體八大核心材料之一，是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。

一、EVG101光刻膠測量簡(jiǎn)介

研發(fā)和小規模生產(chǎn)中的單晶圓光刻膠加工。

EVG101光刻膠處理系統在單室設計上可以滿(mǎn)足研發(fā)工作，與EVG的自動(dòng)化系統*兼容。EVG101支持zui大300 mm的晶圓，可配置為旋涂或噴涂和顯影。使用EVG先進(jìn)的OmniSpray涂層技術(shù)，在3D結構晶圓上實(shí)現光刻膠或聚合物的共形層，用于互連技術(shù)。這確保了高粘度光致光刻膠或聚合物的低材料消耗，同時(shí)改善了均勻性并防止了擴散。

二、EVG101光刻膠測量技術(shù)參數：

晶圓尺寸：高達300mm（12寸）

支持模式：旋涂/ OmniSpray®/生長(cháng)

晶圓支撐模式：?jiǎn)伪?雙EE/邊緣/翻動(dòng)

分配模式：

- 各種分配泵，可覆蓋高達52000cP的各種粘度

- 恒壓分配系統

- EBR / BSR /預濕/碗洗/液體灌注

三、特征：

晶圓尺寸可達300 mm

自動(dòng)旋涂或噴涂或使用手動(dòng)晶圓裝載/卸載進(jìn)行顯影

利用從研究到生產(chǎn)的快速簡(jiǎn)便的過(guò)程轉換

成熟的模塊化設計和標準化軟件

注射器分配系統，用于利用小的光刻膠體積，包括高粘度光刻膠

占地面積小，同時(shí)保持高水平的個(gè)人和過(guò)程安全性

多用戶(hù)概念（無(wú)限數量的用戶(hù)帳戶(hù)和程序，可分配的訪(fǎng)問(wèn)權限，不同的用戶(hù)界面語(yǔ)言）

選項：

- 采用OmniSpray®涂層技術(shù)均勻涂覆晶圓的高表面形貌

- 用于后續鍵合工藝的蠟和環(huán)氧樹(shù)脂涂層

- 旋涂玻璃（SOG）涂層