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白光干涉儀測量用于哪些領(lǐng)域?

更新時(shí)間:2023-09-01  |  點(diǎn)擊率:1353
  白光干涉儀是用于對各種精密器件表面進(jìn)行納米級測量的儀器,它是以白光干涉技術(shù)為原理,光源發(fā)出的光經(jīng)過(guò)擴束準直后經(jīng)分光棱鏡后分成兩束,一束經(jīng)被測表面反射回來(lái),另外一束光經(jīng)參考鏡反射,兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉,顯微鏡將被測表面的形貌特征轉化為干涉條紋信號,通過(guò)測量干涉條紋的變化來(lái)測量表面三維形貌。白光干涉儀專(zhuān)用于非接觸式快速測量,精密零部件之重點(diǎn)部位的表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸,其測量精度可以達到納米級!
  目前,在3D測量領(lǐng)域,白光干涉儀是精度最高的測量?jì)x器之一。白光干涉儀比較適合檢測的樣品按領(lǐng)域分為消費電子類(lèi)、半導體封裝、超精密加工(機械、光學(xué))、微納材料這四個(gè)大的領(lǐng)域;其中消費電子類(lèi)即智能電子產(chǎn)品的玻璃外殼、內嵌組裝要求比較高的超光滑薄片(如home鍵里的薄片、手機攝像頭里面的薄片);
  半導體行業(yè)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上的工藝流程如下:硅棒經(jīng)過(guò)一系列切削、打磨物理化學(xué)方法后獲得比較粗糙的硅片,硅片經(jīng)過(guò)單面拋光后即成為可進(jìn)行蝕刻工藝(將IC芯片蝕刻到拋光面)的硅片,上述兩個(gè)步驟獲得的是半導體領(lǐng)域里原材料硅片,屬于來(lái)料部分,來(lái)料部分對拋光后的硅片拋光面粗糙度有要求,一般要求在1nm及以下,但由于制作這類(lèi)硅片屬于行業(yè)上游原材料企業(yè),在拋光后硅片表面粗糙度不一定會(huì )做強制的檢測要求,目前了解到該類(lèi)型企業(yè)檢測比較少。
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