可以的。

　　隨著(zhù)半導體材料技術(shù)的發(fā)展，對硅片的規格和質(zhì)量也提出更高的要求，適合微細加工的大直徑硅片在市場(chǎng)的需求比例將日益加大。半導體,芯片,集成電路,設計,版圖,芯片,制造,工藝目前世界普遍采用先進(jìn)的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使制片技術(shù)取得明顯進(jìn)展。新技術(shù)的導入，使SOI等高功能晶片的試制開(kāi)發(fā)也進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。對此，硅片生產(chǎn)廠(chǎng)家也增加了對300mm硅片的設備投資，針對設計規則的進(jìn)一步微細化。利用超聲波清洗技術(shù)，在清洗過(guò)程中超聲波頻率在合理的范圍內往復掃動(dòng)，帶動(dòng)清洗液形成細微回流，使工件污垢在被超聲剝離的同時(shí)迅速帶離工件表面，提高清洗效率。

　　超聲波清洗方法及其放置方向

　　將被洗研磨硅片水平狀放置在清洗槽底部上方柵欄狀的石英棒框架上，在確保清洗槽內具有去離子水高度并不斷流動(dòng)的條件下，利用設在清洗槽底部的超聲波振子進(jìn)行清洗，超聲波頻率為40KHz，每5分鐘將研磨硅片翻一個(gè)面，連續超洗至被超洗的研磨硅片表面沒(méi)有黑色污染物冒出止。超聲波清洗單晶硅片裝置清洗槽的槽壁上設有進(jìn)水口和出水口，槽底部下方設有超聲波振子，清洗槽槽內設有一擱置單晶硅片的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒形成的平面低于去離子水水平面，整個(gè)框架由支撐腳支撐在清洗槽內。

　　具體實(shí)施時(shí)，石英棒距離清洗槽的底壁為15厘米。清洗時(shí)，單晶硅片可以平置在石英棒上，將現有的豎超洗改成平超洗，消除了單晶硅片在豎超洗狀態(tài)下，污染物會(huì )殘留堆積在硅片表面，形成局部區域清洗不干凈，以及承載硅片的軟體花籃會(huì )吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而造成硅片表面局部區域清洗不干凈的現象，具有結構更簡(jiǎn)單、用水量大大減少的優(yōu)點(diǎn)。

　　采用超聲波清洗機的優(yōu)點(diǎn)

　　1、采用了真空脫氣技術(shù)有效去除液體中氣體，且運用拋動(dòng)功能，增強超聲對工件表面油污和污垢的清洗能力，縮短清洗時(shí)間;

　　2、洗籃設計轉動(dòng)機構重疊不可分拆的零件或形狀復雜的零件，也可做到均勻完整的清洗;

　　3、減壓真空系統能吸出盲孔、縫隙及疊加零件之間的空氣，使超聲波在減壓的狀態(tài)下產(chǎn)生

　　4、真空蒸汽清洗+真空干燥系統利用蒸汽洗凈做養護，實(shí)現清洗效果;

　　5、蒸汽清洗、干燥及清洗液加熱的全過(guò)程在減壓真空中進(jìn)行，更有效地確保了安全性;

　　6、防爆配件及簡(jiǎn)潔加熱系統，進(jìn)一步提高安全度;

　　7、加熱溫度自動(dòng)可調;

　　8、設有安全保險裝置;

　　9、超聲輸出頻率可根據不同工作情況進(jìn)行微調.