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光刻機的工藝主要有光復印和刻蝕兩種

更新時(shí)間:2023-02-22  |  點(diǎn)擊率:1092
  光刻機,是一個(gè)全新的、已經(jīng)被生產(chǎn)廠(chǎng)家驗證過(guò)的新型光刻曝光機以及晶圓對晶圓(W2W)接合曝光和測試系統,可滿(mǎn)足用戶(hù)對更高光刻精度的需求。業(yè)內向更小結構和更密集封裝生產(chǎn)轉型的趨勢帶來(lái)了眾多的新挑戰,如對更高精度的要求,因為這將嚴重影響設備的偏差律,并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。
 
  它應用的系統可提高對準精度,范圍從1μm-0.1μm,從而為生產(chǎn)廠(chǎng)家在先進(jìn)微電子、化和物半導體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供了解決方案。
 

 

  它的技術(shù)原理:
 
  光刻機就是把芯片制作所需要的線(xiàn)路與功能區做出來(lái)。利用光刻機發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì )發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用。
 
  這就是它的作用,類(lèi)似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是電路圖和其他電子元件。
 
  其技術(shù)是一種精密的微細加工技術(shù)。常規光刻技術(shù)是采用波長(cháng)為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實(shí)現圖形的變換、轉移和處理,然后把圖像信息傳遞到晶片或介質(zhì)層上的一種工藝。
 
  在廣義上,光刻機包括光復印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面:
 
  1、光復印工藝:經(jīng)曝光系統將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置,精確傳遞到預涂在晶片表面或介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上;
 
  2、刻蝕工藝:利用化學(xué)或物理方法,將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去,從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的,因而光刻工藝總是多次反復進(jìn)行。例如,大規模集成電路要經(jīng)過(guò)約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。
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