光刻機就是把芯片制作所需要的線(xiàn)路與功能區做出來(lái)。利用光刻機發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì )發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用。

 

　　這就是光刻機的作用，類(lèi)似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。

 

　　光刻機技術(shù)是一種精密的微細加工技術(shù)。常規光刻技術(shù)是采用波長(cháng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間媒介實(shí)現圖形的變換、轉移和處理，然后把圖像信息傳遞到晶片或介質(zhì)層上的一種工藝。

 

　　光刻機的技術(shù)分類(lèi)：

　　1、光學(xué)光刻：

　　在光學(xué)光刻中，光致抗蝕劑通過(guò)光掩模用紫外光曝光。此方法可以圖案化多種功能，但分辨率有限。為了獲得更高的分辨率，使用了較短波長(cháng)的光（G線(xiàn)435.8nm，H線(xiàn)404.7nm，I線(xiàn)265.4nm）。我們有這個(gè)光學(xué)光刻系統；

　　接觸光刻：利用我們提供的系統，最小特征約為0.8μm，蕞小對準公差約為0.5μm。

　　2、電子束光刻：

　　代替在光學(xué)光刻中使用光源，電子束（電子束）光刻利用電子束在樣品上生成圖案。由于波長(cháng)短得多，因此我們可以實(shí)現更高的分辨率；但是，由于它是單個(gè)電子束寫(xiě)入樣品，因此在樣品上生成圖案所需的時(shí)間更長(cháng)。使用標準抗蝕劑，電子束工具可以實(shí)現蕞小7 nm的特征以及1nm的對準公差。這是直接寫(xiě)技術(shù)。

　　3、軟光刻：

　　這將使用預先生成的模具作為基礎來(lái)創(chuàng )建三維結構。將諸如聚二甲基硅氧烷（PDMS）之類(lèi)的軟材料倒入模具中并固化。當它從表面剝離時(shí)，它保持了陰模的狀態(tài)。PDMS材料通常附著(zhù)到另一層，例如玻璃或另一層PDMS。軟光刻通常與較大的特征器件相關(guān)聯(lián)。具有20至5000 μm范圍內的特征的微流體系統通常是使用軟光刻技術(shù)生產(chǎn)的。另外，我們的用戶(hù)通過(guò)稱(chēng)為納米壓印光刻的技術(shù)使用該技術(shù)來(lái)生產(chǎn)納米結構。

　　4、直接光刻：

　　如果圖案僅將被使用一次，則直接產(chǎn)生比在模板上產(chǎn)生用于在樣品上產(chǎn)生圖案的掩模更為經(jīng)濟。直接寫(xiě)入用于創(chuàng )建光刻掩模，還可以用于生成不同的高度或灰度特征。我們可以使用設備進(jìn)行直接光刻印刷。

　　無(wú)掩模光刻：使用我們的無(wú)掩模光刻系統，我們可以實(shí)現蕞小2μm的特征和0.5μm的對準公差。