晶圓鍵合自動(dòng)系統匯集多項技術(shù)突破，令半導體行業(yè)向實(shí)現3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標又邁進(jìn)了一步。新系統晶圓對晶圓排列精度是過(guò)去標準平臺的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺還為半導體行業(yè)應用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導體行業(yè)能夠在未來(lái)不斷提升設備密度，強化設備機能，同時(shí)又無(wú)需求助于越發(fā)昂貴復雜的光刻工藝技術(shù)。
晶圓對晶圓鍵合自動(dòng)系統是激活諸如堆疊式內存，邏輯記憶以及未來(lái)互補金屬氧化物半導體圖像感應器等3D裝置的一個(gè)關(guān)鍵步驟。與此同時(shí)，是實(shí)現各鍵合晶圓之間電接觸點(diǎn)的硅片通道尺寸的最小化，降低3D裝置成本，支持更高水平裝置性能及帶寬，減少裝置耗電量的一個(gè)關(guān)鍵方面。然而，只有實(shí)現了各晶圓之間緊密排列和套準精度，保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸，并且將鍵合面上的連接區域最小化，才能夠將更多的晶圓面積用于裝置生產(chǎn)。
晶圓鍵合自動(dòng)系統是推動(dòng)半導體性能擴展的關(guān)鍵
根據IRDS路線(xiàn)圖，寄生縮放將成為未來(lái)幾年邏輯器件性能的主要驅動(dòng)力，需要新的晶體管架構和材料。IRDS路線(xiàn)圖還指出，將需要新的3D集成方法（例如M3D）來(lái)支持從2D到3D VLSI的長(cháng)期過(guò)渡，包括背面配電，N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及CMOS以外的功能采用。層轉移工藝和工程襯底通過(guò)幫助實(shí)現設備性能，功能和功耗的顯著(zhù)改善，正在使邏輯縮放技術(shù)成為可能。通過(guò)等離子活化進(jìn)行直接晶圓鍵合是一種行之有效的解決方案，可實(shí)現不同材料的異質(zhì)集成。
EV Group執行技術(shù)總監Paul Lindner表示：“作為晶圓鍵合的先驅?zhuān)珽VG一直在幫助客戶(hù)將新的半導體技術(shù)從早期研發(fā)帶入全面生產(chǎn)方面處于蕞前沿。”“將近25年前，EVG推出了業(yè)界初款絕緣體上硅（SOI）晶圓鍵合自動(dòng)系統，以支持針對利基應用的高頻和輻射硬件設備的生產(chǎn)。從那時(shí)起，我們一直在不斷提高直接鍵合平臺的性能和CoO，以幫助我們的客戶(hù)將工程基板的優(yōu)勢帶入更廣泛的應用領(lǐng)域。我們全新的系統解決方案將其提升到一個(gè)新的水平，從而提高了生產(chǎn)率，從而滿(mǎn)足了對工程襯底和層轉移處理不斷增長(cháng)的需求，從而實(shí)現了持續的性能。
晶圓鍵合自動(dòng)系統是用于前端應用所需的融合/直接晶圓鍵合的大批量生產(chǎn)系統。該系統采用EVG的LowTemp™等離子活化技術(shù)，在一個(gè)適用于多種熔融/分子晶片的單一平臺上，結合了熔合的所有基本步驟-包括清潔，等離子體活化，對準，預結合和IR檢查。綁定應用程序。該系統能夠處理200毫米和300毫米晶圓，可確保無(wú)空隙，高產(chǎn)量和高產(chǎn)量的生產(chǎn)過(guò)程。
晶圓鍵合自動(dòng)系統集成了下一代融合/直接鍵合模塊，新的晶圓處理系統和光學(xué)邊緣對準功能，可提供更高的生產(chǎn)率和生產(chǎn)率，從而滿(mǎn)足客戶(hù)提高工程襯底晶圓生產(chǎn)和M3D集成的需求。
