接觸式光刻機是一種用于信息科學(xué)與系統科學(xué)、能源科學(xué)技術(shù)、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗儀器，于2016年7月12日啟用。
其實(shí)在我國對于接觸式光刻機，曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設備制造出較小的特征尺寸。
我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達到了小于0.1 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5 gm左右。該設備的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺子上，臺子可以進(jìn)行X、y方向及旋轉的定位控制。
在操作過(guò)程中掩模版和襯底晶片需要通過(guò)分立視場(chǎng)的顯微鏡同時(shí)觀(guān)察，這樣操作者用手動(dòng)控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經(jīng)過(guò)紫外光曝光，光線(xiàn)通過(guò)掩模版透明的部分，圖形就轉移到了光刻膠上。設備的主要缺點(diǎn)是依賴(lài)于人操作，由于涂覆光刻膠的圓片與掩模的接觸會(huì )產(chǎn)生缺陷，每一次接觸過(guò)程，會(huì )在圓片和掩模上都造成一定的缺陷。因此，該設備一般用于能容忍較高缺陷水平的器件研究和其他應用方面。
所以該設備還是先階段使用比較好的一種刻錄機，這種刻錄機的技術(shù)比較先進(jìn)，操作也簡(jiǎn)單。
設備的主要用途及特點(diǎn)：
1、本設備適用于對&Phi；100mm以下，厚為0——5mm各種基片的曝光。
2、由于采用了高均勻性的多點(diǎn)光源曝光頭，非常理想的三點(diǎn)找平機構，穩定可靠的真空壓緊曝光，使本機的曝光分辨率和曝光均勻性都大為提高。
3、版不動(dòng)﹑片動(dòng)的對準方式，保障了導軌自重和受力方向的一致性，加之承片臺升降采用無(wú)間隙滾珠直進(jìn)導軌和三點(diǎn)式找平機構的成功應用，使本機漂移特小，對準精度高，對準速度快。
4、本設備的電氣控制采用PLC控制，各主要元件（如電磁閥等）均采用進(jìn)口件，設備運行的高穩定﹑可靠是本機的又一大優(yōu)點(diǎn)。
